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3F/PIC快速反应质谱仪 |
3F/IDP 离子脱附分析质谱仪 |
PIC是带脉冲离子计数检测器的3F质谱仪,具有高灵敏度, |
Hiden IDP是三级过滤质谱/能量分析仪,用于研究ESD、PSD |
快速测量的特点。 |
或UHV-TPD中释放的低能量粒子。是电子、光子激发脱附 |
● UHV TPD |
研究中,进行离子、中性粒子、自由基的质量、能量 |
分析的质谱。 |
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● 表面科学,单晶格研究 |
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● 释出组分的快速质量、能量监测 |
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● 分子束研究 |
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● 光致解吸研究 |
● 选通输入分析,进行瞬时/TOF 研究 |
特点: |
● 用表观势能谱,分析母体和自由基 |
● 质量数:1~2500amu |
● ESD和PAS阈值,离子能量分布 |
● 脉冲离子计数器 |
● 正、负离子谱,键角信息 |
● 增强的抗污染能力 |
● 泄漏探测/ 实际泄漏分析/脱附研究 |
● 测量速度:500点/秒 |
● 4透镜离子光学系统/电子轰击离子源 |
● 动态范围:10-7 |
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● 信号选通1μs分辨率 |
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3F/EPIC质谱仪 |
IMP刻蚀终点检测仪 |
EPIC是带脉冲离子计数、四极杆偏压(Pulse Ion Counting and |
IMP是自带差式泵,简洁的二次离子质谱仪,适于分析离 |
Pole Bias Control)控制的3F质谱仪,用于高精密科学分析、 |
子刻蚀过程中的二次离子和中子。是专业检测刻蚀终点的 |
过程研究以及中性粒子、自由基、离子的UHV分析。 |
仪器,用于离子刻蚀控制以及优化工艺质量。 |
● 中性粒子、自由基,正、负离子 |
● 终点分析 |
● 电子附着研究 |
● 靶污染检测 |
● 表面科学 |
● 质量控制/SPC |
● 分子束研究 |
● 残余气体分析 |
● UHV TPD |
特点: |
特点: |
● 高灵敏度的 SIMS/MS,带脉冲离子计数检测器 |
● 质量数范围可选至2500amu |
● 三级过四极质谱仪,标准配置为300amu |
● 离子能量分布扫描±100eV(1000eV可选) |
● 离子光学器件,带能量分析器和完整的离子源 |
● 当分析能量(或质量)分布变化与时间的关系,或进行 |
● 真空规提供过压保护 |
TOF研究时,信号选通分辨率为1µs |
● 稳定性好:超过24h,峰高变化小于±0.5% |
● 可升级至等离子体分析或SIMS分析仪 |
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