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 3F/PIC快速反应质谱仪  | 
 3F/IDP 离子脱附分析质谱仪  | 
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 PIC是带脉冲离子计数检测器的3F质谱仪,具有高灵敏度,  | 
 Hiden IDP是三级过滤质谱/能量分析仪,用于研究ESD、PSD  | 
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 快速测量的特点。  | 
 或UHV-TPD中释放的低能量粒子。是电子、光子激发脱附  | 
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 ● UHV TPD  | 
 研究中,进行离子、中性粒子、自由基的质量、能量  | 
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 分析的质谱。  | 
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 ● 表面科学,单晶格研究  | 
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 ● 释出组分的快速质量、能量监测  | 
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 ● 分子束研究  | 
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 ● 光致解吸研究  | 
 ● 选通输入分析,进行瞬时/TOF 研究  | 
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 特点:  | 
 ● 用表观势能谱,分析母体和自由基  | 
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 ● 质量数:1~2500amu  | 
 ● ESD和PAS阈值,离子能量分布  | 
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 ● 脉冲离子计数器  | 
 ● 正、负离子谱,键角信息  | 
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 ● 增强的抗污染能力  | 
 ● 泄漏探测/ 实际泄漏分析/脱附研究  | 
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 ● 测量速度:500点/秒  | 
 ● 4透镜离子光学系统/电子轰击离子源  | 
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 ● 动态范围:10-7  | 
 
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 ● 信号选通1μs分辨率  | 
 
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 3F/EPIC质谱仪  | 
 IMP刻蚀终点检测仪  | 
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 EPIC是带脉冲离子计数、四极杆偏压(Pulse Ion Counting and  | 
 IMP是自带差式泵,简洁的二次离子质谱仪,适于分析离  | 
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 Pole Bias Control)控制的3F质谱仪,用于高精密科学分析、  | 
 子刻蚀过程中的二次离子和中子。是专业检测刻蚀终点的  | 
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 过程研究以及中性粒子、自由基、离子的UHV分析。  | 
 仪器,用于离子刻蚀控制以及优化工艺质量。  | 
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 ● 中性粒子、自由基,正、负离子  | 
 ● 终点分析  | 
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 ● 电子附着研究  | 
 ● 靶污染检测  | 
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 ● 表面科学  | 
 ● 质量控制/SPC  | 
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 ● 分子束研究  | 
 ● 残余气体分析  | 
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 ● UHV TPD  | 
 特点:  | 
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 特点:  | 
 ● 高灵敏度的 SIMS/MS,带脉冲离子计数检测器  | 
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 ● 质量数范围可选至2500amu  | 
 ● 三级过四极质谱仪,标准配置为300amu  | 
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 ● 离子能量分布扫描±100eV(1000eV可选)  | 
 ● 离子光学器件,带能量分析器和完整的离子源  | 
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 ● 当分析能量(或质量)分布变化与时间的关系,或进行  | 
 ● 真空规提供过压保护  | 
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 TOF研究时,信号选通分辨率为1µs  | 
 ● 稳定性好:超过24h,峰高变化小于±0.5%  | 
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 ● 可升级至等离子体分析或SIMS分析仪  | 
 
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